Przegląd produktu
Szablony GaN (azotek galu) odnoszą się do cienkiej warstwy pojedynczego krystalicznego GaN, zwykle o grubości mniejszej niż
niż 100 mikronów, uprawianych epitaksjalnie na obcym podłożu, (np. szafir). W porównaniu z wolnostojącym GaN substratu, szablon GaN jest alternatywnym rozwiązaniem dla producentów urządzeń. Przy wysokiej objętości
i niskich kosztach produkcji, szablon GaN może zastąpić szafir w LED, zwiększając do 50% pojemności reaktorów MOCVD.
Ponadto, szablon GaN zwykle ma niższą gęstość dyslokacji niż MOCVD GaN uprawiane na szafirze. Jest to korzystny czynnik dla urządzeń UV, ponieważ jest bardziej wrażliwy na gęstość dyslokacji niż niebieskie diody LED.
Aktualna oferta producenta wraz z kartami katalogowymi dostępna TUTAJ.
Skontaktuj się z nami w celu uzyskania oferty cenowej. Chętnie doradzimy w wyborze odpowiednich urządzeń.
tel. (22) 641-15-47
mail: ndn@ndn.com.pl
RF-Lambda Gallium Nitride (GaN) Template
